Technológia modifikuje povrch anódy Li-iónovej batérie tenkou vrstvičkou ZnO nanesenou technológiou nanášania po atomárnych vrstvách. ZnO vrstvička obmedzuje nadmerný rast…
Nový veľkoplošný detektor žiarenia s nízkou intenzitou rozširuje aplikačné možnosti použitia najmä v prípade horšej kvality polovodičového substrátu. Zároveň konštrukcia…
Nový koncept unipolárneho vertikálneho tranzistora s izolačným kanálom, ktorý pracuje v obohacovanom móde a dosahuje veľké hodnoty prúdu bez nutnosti…
Technológia predstavuje spôsob prípravy stabilných manganitových LSMO vrstiev so zvýšenou onsetovou teplotou prechodu do feromagnetického stavu TCON až ≥ 400K,…
Nová konštrukcia MEMS senzorov tlaku na báze kruhových tranzistorov AlGaN/GaN HEMT (snímacích elektronických prvkov) integrovaných na kruhových, prstencových a sekvenčne…
Nový typ ultra-ľahkého supravodiča vo forme kompozitného drôtu, ktorého jadro je na báze MgB2 s kompozitným plášťom na báze hliníka….