Nová koncepcia dosiahnutia homogénnej teploty prechodu do supravodivého stavu v celom objeme GdBCOAg masívneho monokryštalického supravodiča

Nová koncepcia dosiahnutia homogénnej teploty prechodu do supravodivého stavu v celom objeme GdBCOAg masívneho monokryštalického supravodiča pripraveného rastom z natavených zložiek supravodiča. Navrhovanou koncepciou sapridaním určitého množstva CeO2 zvýši teplota prechodu do supravodivého stavu na začiatku kryštalizácie GdBCOAg masívneho monokryštalického supravodiča viac ako dva  stupne a vyrovná sa tak teplote na konci kryštalizácie.

Konkurenčné výhody

  • GbBCOAg masívny monokryštál rastie bez parazitickej nukleácie pri použitých koncentráciách pridaného lacného CeO2
  • pridaný CeO2 súčasne brzdí rast častíc Gd2BaCuO5 fázy a tým zvyšuje kritickú prúdovú hustotu masívneho monokryštalického supravodiča vo vlastnom magnetickom poli

Využitie technológie

  • Technológiu je možné využiť pri výrobe masívnych monokryštalických supravodičov metódou rastu kryštálov z natavenej zmesi zložiek supravodiča.

Na stiahnutie

Ochrana duševného vlastníctva

  • zapísaný úžitkový vzor